简介 东芝开发了一系列SiC(碳化硅)类别的Wbg(宽带隙)器件。 新推出的1200v和1700v碳化硅MOSFET模块将有助于更小,更高效的工业设备。 东芝推出了两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:“MG600Q2YMS3”,额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;“MG400V2YMS3”,额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。 这是东芝首款具有上述电压额定值的产品,它们加入了之前发布的MG800FXF2YMS3系列,包括1200V、1700V和3300V器件。 新模块与广泛使用的 硅IGB…