图1中 电位器调整输出电流，LED1是5V电源指示灯，LED2是芯片报警指示（过流、过温）
信号输入端J2:（部分信号端加上拉电阻，3.3V或者5V的信号源可以直连，板上做了兼容处理，参考拓展应用文档）
GND：信号地输入端
CLK：步进脉冲信号输入端。（一个脉冲走一步，脉冲的频率决定步进电机的转动速度）
DIR： 步进方向信号输入端。(对应芯片的CW/CCW引脚)
ST： 待机信号输入（测试时可以空着不接，板上已经接上拉）
EN： 使能信号输入端。（对应芯片的ENABLE引脚，低电平时关闭芯片的功率输出）
BANK: 串行模式时用的信号端，默认是CLK模式，TE3 选择BANK悬空或者连到芯片RESET脚
Lo0：报警输出端。（参考芯片文档中31～32页的说明）对应LED2
Mo： 电角监视引脚，开漏输出。（对应每4个整步，Mo拉低一次）
逻辑控制信号：高电平大于2V，低电平小于0.8V。具体请参考芯片文档。
电机绕组连接： (RS用0.2欧，最大电流3.5A左右；注意芯片的发热，建议测试电流在1A以内，否则要考虑加散热器)
⑴A+：连接电机绕组A相。⑵A-：连接电机绕组A相
⑶B+：连接电机绕组B相。⑷B-：连接电机绕组B相。
步进电机绕组引线并无正负之分，接入驱动时注意区分不同绕组。另外，要改变电机的初始启动方向时，调换其中一个绕组的接线。比如把A+与A-的接线交换，就能改变电机的初始启动方向。
工作电压的连接：
⑴VM： 连接直流电源正。(推荐工作电压范围10～42V)
⑵GND：连接直流电源负。
TE1~5对应的功能作用：
TE5芯片的EDG_SEL），EDG=L，单边沿触发。EDG=H，双边沿触发（上升沿和下降沿各触发一次）。
TE4芯片的GAIN_SEL)，GAIN=L,放大5倍，GAIN=10，放大10倍。
TE3根据控制模式来设定，CLK模式时，是RESET脚；串行模式时是BANK_EN脚。默认CLK模式
TE2芯片的IF_SEL)，控制模式选择，IF_SEL=L, CLK模式; IF_SEL＝H, 串行模式
TE1芯片的RS_SEL)，RS_SEL=H，外部电阻采样；RS_SEL=L，内部采样，RS_A、RS_B引脚接地
外部采样电流设置(电流值)
可通过该电流检测电阻(RS)与基准电压(Vref)，设置峰值输出电流(设置当前值)，如以下所述：
Iout(最大值) = Vref / GAIN / RS
若应用电流小于0.5A，采样电阻建议0.47欧～1欧之间选择，这样相对的噪音会低一些
内部采样模式时的电流计算：
平均电流小于计算值，原因是该IC 采用峰值电流检测法。所以不要用电源端检测的电流值与设置的电流值比较。
SEL1拔码开关（图2）：
1、2位是衰减选择，板上有参数表格。
3位是TORQE,简称TQ，TQ＝L，输出电流为设定值100%，TQ＝H，输出电流为设定值的50％
4、5、6是细分设置，板上参数表格，注意M0与M1的顺序
M0: 励磁模式设置输入端（细分设置端DMODE0）
M1: 励磁模式设置输入端（细分设置端DMODE1）
M2: 励磁模式设置输入端（细分设置端DMODE2）
应用中要注意的，如图3、图4中，DIR方向线路连接到芯片CW/CCW间串入了电阻R16和并联了C11电容。厂家建议一定要在CW/CCW脚对地并上小电容。这样PCB设计更简单，也能避免部分应用中出现失步的现象。R16是为了保护控制端的端口，比如像MCU类的编程芯片，避免C11对控制芯片的影响。阻值范围100~1000欧左右，控制芯片是低功耗类，R16选择大一些的阻值。若是光耦输出到驱动芯片，R16可以考虑省掉。
在PCB设计中，要注意C11的接地端与芯片的1脚SGND要优先最短化连接。尤其是两层板，若外围器件较多或者空间有限，布线处理受影响，要把C11接地端先连到芯片1脚，然后1脚再与其它GND连通。只有这样C11才起作用，保障芯片发挥应有的性能。
芯片的VCC端是内部稳压端引出，用于外接滤波电容（0.1uF~1uF）。外部电路要用芯片的VCC供电时，建议VCC的输出电流不要超过5mA。如果外部有5V稳压电源，原则上不建议与芯片的VCC端直接连接。因为两个稳压电路输出有压差时，可能会有影响。不管芯片外围线路是否用内部VCC供电，芯片的VCC端都必须加上滤波小电容。
评估板的应用电路，部分需要上拉到VCC端，都是用了27K左右的电阻，主要是为了降低VCC端的消耗电流。实际应用中，根据产品的应用环境考虑，外围干扰较强的，建议选择外部稳压电源作为芯片外围逻辑电源。OSCM部分建议用芯片内部5V供电.
关于PCB设计方面， RS_A、RS_B经采样电阻接地端到滤波电解电容处的线路是大电流线路，大于1A的应用电流，要考虑这部分的线宽不能太小，否则会影响驱动效果。
像RS_A、RS_B、A+、A-、B+、B-、VM这些都是大电流线路，如果需要层间切换布线的，建议放置过孔时要多放几个，以降低过孔带来的影响。
关于步进电机的速度方面，在空载启动速度大于60转时，建议做加减速控制，以免避启动堵转或者丢步。带载的则要具体测试。加减速控制，可以避免突然启动、停止对电机和驱动部分的冲击，同时也可以带来很好的驱动效果。比如缓启、缓停。具体的可以网络搜索一下相关文档来参考。
拓展应用电路
用来实现降低锁相电路，从而降低驱动芯片的锁相功耗，具体应用电路如下图：
图1，左、右两方框电路用来设置参考电压。当VCC＝5V，DOWN≈VCC，两方框生成的分压值相等。 当DOWN＝L（≈GND），参考电压会降低一半。具体看下面仿真图中的数据差异：
图2、图3中的S1可以用推挽输出端口代替，比如74LVC245、HC123、MCU等等，只要高电平与VCC大约相等。这样就能实现半流锁相。（ 图2电阻分压值是1.4V，图3电阻分压值是0.7V ）
注：推挽端口输出状态只有高电平、低电平两种。若是端口是开路输出的，相应要调整电阻参数。
使用74HC123实现的自动半流锁相电路.
部分信号输入端要为高电平，芯片才能正常输出（测试板上加了上拉电阻和下拉电阻）
如上图5、图6，信号源V1，无论是3.3V或者5V信号，探针1检测的值都是与信号源V1一样，这样可以用3.3V或者5V的MCU输出直接连接到信号端，而不会对MCU本身有影响。
图5、图6中的R4是驱动芯片端口内置的下拉电阻，R3看作输入电阻。R1选择25K~33K之间的阻值都行，影响不大。
图7是实际分压值，R3等效悬空，看成没有外接信号源。上面图2~图7都是用电路仿真软件仿真过。
最后
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