挑战 HBM 王者地位！英特尔 ZAM 记忆体频宽达 HBM4 两倍，容量、散热更具优势

英特尔与软银共同开发 ZAM 记忆体技术，预计 2028 至 2030 年量产，目标取代 HBM。ZAM 提供两倍于 HBM4 的频宽（达 5.3TB/s）、低功耗与更佳散热，支援 9 层堆叠设计与先进互连技术，专为 AI 应用优化。

英特尔 Z-Angle Memory（ZAM）技术已接近完成阶段，并正全力投入 AI 市场浪潮，试图挑战 HBM 作为高频宽记忆体主流方案的地位。

做为高频宽、高容量市场的重要创新，ZAM 正在记忆体产业引发高度关注。这项技术由英特尔与软银（SoftBank）共同开发，目标是提供低功耗、高密度的解决方案，以取代 HBM。

根据最新资讯，ZAM 记忆体的频宽预计将达到 HBM4 的两倍，并可与预计次世代 HBM4E 相媲美。ZAM 预计在 2028 年至 2030 年间进入量产阶段。在 2026 年 VLSI 研讨会上，Intel 与软银旗下子公司 SAIMEMORY 预计将进一步揭露相关细节。

在架构设计上，ZAM 採用 9 层堆叠设计，其中单一堆叠包含 8 层 DRAM，每层之间仅有 3 微米硅基板，并由主基板上的单一逻辑控制器（Logic Controller）统一管理。该技术包含三层主要的硅穿孔（TSV）结构，每层透过混合键合（Hybrid Bonding）配置 1.37 万个互连路径。

在容量与效能方面，ZAM 每层提供 1.125GB 容量，使单一堆叠达到 10GB，整体封装可达 30GB。堆叠面积为 171mm²，每平方毫米提供 0.25 Tb/s 频宽，单一堆叠总频宽可达 5.3 TB/s。

儘管 HBM 目前仍是 AI 加速器与 GPU 的主流记忆体方案，但随著规格提升，已面临发热与功耗等结构性挑战。ZAM 则针对高密度、宽频宽与低功耗进行优化，其垂直结构有助于散热，避免传统佈线层造成的热堆积问题。

ZAM 的主要优势包括极高频宽密度：约 0.25 Tb/s/mm²，显著高于 HBM；更低功耗：针对数据传输能耗进行优化；更佳散热管理：垂直架构降低热累积；更高堆叠潜力：支援 9 层以上堆叠，採用 3μm 超薄硅基板；先进互连技术：包含磁场耦合无线 I/O 与混合键合；AI 工作负载优化：针对生成式 AI 的记忆体瓶颈设计。

ZAM 的最终目标是透过 3.5D 封装技术实现高密度 3D 记忆体整合，将高频宽大容量记忆体、电源与接地轨（Power/Ground rails）、硅光子（Silicon Photonics）及传统 I/O 整合于单一基板上。