简介
东芝开发了一系列SiC（碳化硅）类别的Wbg（宽带隙）器件。 新推出的1200v和1700v碳化硅MOSFET模块将有助于更小，更高效的工业设备。
东芝推出了两款碳化硅（SiC） MOSFET双模块：“MG600Q2YMS3”，额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；“MG400V2YMS3”，额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。
这是东芝首款具有上述电压额定值的产品，它们加入了之前发布的MG800FXF2YMS3系列，包括1200V、1700V和3300V器件。
新模块与广泛使用的 硅IGBT模块 具有安装兼容性。它们的 低能量损耗特性 满足了 工业设备（如铁路车辆的转换器和逆变器） 和 可再生能源发电系统 对更高效率和尺寸减小的需求。
Features特性
- 安装兼容Si IGBT模块
- 比Si IGBT模块损耗低
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A, Tch=25°C
Eon=25mJ (typ.), Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V, ID=600A, Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ (typ.), Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V, ID=400A, Tch=150°C - 内置NTC热敏电阻
Applications应用
- 铁路车辆用逆变器和变流器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC直流变压器
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Tips
文章内容参考 AVNET安富利.
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