为什么pSLC NAND技术非常适合loT设备？ 人工智能和机器学习创建写密集型工作负载. 为什么pSLC NAND技术非常适合loT设备？ 人工智能和机器学习创建写密集型工作负载 在许多物联网（IoT）设备中，有一个操作系统（OS），可更新的"Over-The-Air"（OTA）软件，传感器和其他连接的工具 并通过互联网与其他批次设备和系统交换数据，所有这些都协同工作，将捕获的数据交付给服务提供商。 一些 收集到的数据需要人工智能（Al）来响应实时发展的情况或查看/分析寻找区域的历史数据 可以改进批量过程的地方。…
新创公司 Scale AI 的最大客户 Google，打算在竞争对手 Meta 取得 49% 股权入股这家新创公司后中断合作关系。 《路透社》引述知情人士消息指出，Google 原本计划今年向 Scale AI 采购约 2 亿美元规模的人工标注训练数据，这些数据资料对于开发 Gemini 在内的先进技术相当重要。随著 Meta 大手笔投资 Scale AI，Google 担心可能会让竞争对手取得其研究计画和产品蓝图等敏感资讯，进而失去竞争力。 与 Scale AI 签约的过程中，客户往往需要分享专有数据和产品原型，…
SK 海力士以更低的功耗将性能提升到新的水平，并率先在智能手机中首次亮相。 领先的存储器制造商 SK 海力士今天宣布，已开发出基于其 321 层 4D NAND 闪存的 UFS 4.1 存储解决方案。 将为这些 UFS 4.1 IC 提供动力的超高密度 NAND 芯片预计将支持 512GB 和 1TB 容量，并于 2026 年第一季度在智能手机中推出。此外，据说新的 NAND 芯片比上一代薄了 15%，但在低功耗下提供“一流的连续读取性能”。SK 海力士表示，相同的 321 层 4D NAND 闪存芯片也将在今年内…
在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平）方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小，DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了改进。 DRAM单元的尺寸是根据设计规则（或最小加工尺寸）“F：特征尺寸”进行比较的。原则上，可能的…
高阶记忆体竞争加剧，近期美光（Micron）抢先韩系竞争对手，成为首家NVIDIA供应次世代记忆体模组SOCAMM的记忆体业者。 而供应链传出，SOCAMM采用LPDDR5X芯片堆叠组成，随著美光扩大LPDDR5X委外封测订单，记忆体封测龙头力成作为主要受惠厂商，不仅助攻美光夺大单，第2季起LPDDR5X封装出货吞下营运大补丸，后势潜力备受看好。 DRAM三大厂正面交锋的战火，从高频宽记忆体（HBM）延伸至高阶服务器记忆体。 虽然NVIDIA曾先后委托三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（…
6月11日消息，传闻已久的英伟达（NVIDIA）首款Arm PC芯片首次在Geekbench测试数据库被曝光，其跑分成绩超越了高通的骁龙 X Elite，这也意味着英伟达即将进军基于Windows on Arm平台的PC市场，与高通正面竞争。 根据统信息显示，英伟达的这款AI PC芯片代号为“N1X” ，拥有20线程的CPU，主频为2.81GHz。由于基于Arm CPU通常缺乏像英特尔 Lion Cove 那样的 SMT（同步多线程），因此该处理器应该是配备了20核心的Arm CPU。猜测可能是基于此前的GB10超…
在三星MLC产品将停产下，Nand Flash控制IC业者 群联 可望迎成长机会，公司表示，其MLC产品主要应用于工控领域，导入期较长，因此虽非短期立即反映，但随著原厂陆续退出市场，供给趋紧下，MLC报价将上扬，且公司拥有相对有利的库存量，可供应予产品附加价值高客户，有助提升ASP与毛利表现。 另，因近期PC出货需求回温，带动控制芯片出现供不应求情形，且除了终端市场需求提升外，亦受到晶圆厂 12nm制程产能紧张影响，供应压力升高。群联已透过加价方式争取产能，并可将成本转嫁，预期整体供应不会出现缺口，同时在拉货动能维…
近日Meta对Scale AI押注143亿美元资金、并聘请Scale AI创办人加入Meta的消息曝光不久后，媒体彭博引述消息人士报导，OpenAI将结束与Scale AI的合作关系. 继Google之后，彭博报导，OpenAI也已逐步终止和AI资料标注平台Scale AI的合作，将寻求更专精的资料供应商。 总部设于旧金山的Scale AI核心技术是训练AI进行资料标注，以用于更大模型的训练。上周Scale AI证实已获得Meta投资。随后，路透社报导，Google已经终止和Scale AI的合作。 另一家客户Op…
韩国媒体报导，面临著复杂的内外部挑战情况下，三星目前正就其下一代 NAND Flash 快闪记忆体 V10 的量产策略进行深度审慎评估。据了解，这项关键的投资计划，原预计于 2025 年下半年启动，现在则可能推迟到 2026 年上半年才能进行大规模的量产投资。至于延宕的主因，包括高堆叠层数 NAND Flash 需求的市场不确定性、引进新技术所伴随的庞大成本压力，以及新制程技术实际应用上的困难。 ZDnet Korea 报导，V10 NAND Flash 是三星在储存技术领域的最新里程碑，其设计核心在于採用了约 4…
全球储存领导品牌创见资讯Transcend（2451）宣布推出全新SSD475P 2.5固态硬碟，专为工业应用与高效能环境所设计。产品内建断电保护技术（Power Loss Protection, PLP），于系统突遭断电时，透过内建电容持续供电，确保资料完整写入，有效降低资料遗失风险，实现高度可靠的储存效能。 创见表示，SSD475P採用SATA III 6Gb/s传输介面与112层3D NAND快闪记忆体，提供高达8TB的储存容量，兼具高速存取与大容量优势。其持续读写速度分别可达560/530MB/s，内建DR…
