三星铁了心要抢 HBM4 市场，加速盖 平泽晶圆厂 | 潇湘君

韩国中央日报报导，韩国三星正加速其位于京畿道平泽的晶圆厂建设，此计划代表著其在经历数月新厂建设停滞后，三星准备在高频宽频记忆体（HBM）市场中，重新夺回被 SK 海力士（SK hynix）和美光（Micron）抢占的市场占比。

过去数月，三星陆续取得平泽市政府颁发的关键核准，尤其 P4 厂房，取得多个临时使用许可，最近一次是 6 月初。许可让三星全面竣工前，部分场地有限度使用，包括安装设备、试营运或允许受限工作人员进入。

自 2024 年初以来，受芯片需求疲软和内部资本配置考量影响，P4 以及邻近的 P5 厂房的建设曾一度暂停。然而，近期 P4 厂区的活动显示，三星正积极扩大生产规模，这与其透过下一代 HBM4 产品重夺记忆体市场领导地位的目标高度一致。而且，为了支持 HBM4 的生产，并提升目前约 40% 的良率，三星正加码投资，以扩张平泽二期与四期以及华城的 17 号线的产能。尽管三星电子发言人拒绝对此计划发表评论，但市场普遍认为这是其争夺 HBM4 市场龙头的关键步骤。

另外，三星押注先进 10 奈米级 1c 制程，用于即将问世的 HBM4 产品。这与 SK 海力士和美光科技计划使用的前一代 1b 制程形成对比，尽管 1c 制程不必然性能卓越，但三星仍强调这是竞争优势之一。4 月财报会议，三星透露正准备下半年启动 HBM4 量产，目标第三季前完成内部核准并稳定良率。这时间表极具挑战性，因为分析师指出，尽管 1c 制程良率改善，但仍处于发展阶段。

大摩最新报告，三星可能 9 月前获英伟达（Nvidia）Rubin GPU 的 HBM4 样品核准，为关键催化剂。获核准后，不仅有庞大潜在市场使三星股价反弹，还能重塑 HBM 格局。英伟达认证对三星 HBM 市场地位至关重要，不仅关乎实力，更直接影响市占和投资者信心。

然而，三星挑战仍不容小觑。市场分析师警告，英伟达的认证流程将比三星内部基准更为严苛的性能标准，尤其是在速度和功耗方面。目前，三星的 12 层堆叠 HBM3E 产品尚未获得英伟达的认证，但竞争对手 SK 海力士和美光均已跨过这一里程碑。事实上，SK 海力士已向英伟达出货了早期的 HBM4 样品，这进一步凸显了三星在 HBM4 竞赛中所面临的巨大压力。

此外，三星在扩大生产规模方面也面临著技术瓶颈和复杂的芯片架构。HBM4频宽的升级需要更密集的导通孔（via holes）和更复杂的硅穿孔（through-silicon via，TSV）结构，这使得制造过程显著更困难。这些技术挑战不仅考验著三星的工程能力，也对其生产良率和成本控制构成严峻考验。

尽管面临重重挑战，记忆体市场的整体情绪依然乐观，这受惠于人工智慧（AI）领域的持续强劲需求。市场分析师表示，全球 HBM 市场将在 2025 年达到 133.4%的 年成长，金额来到 430 亿美元，并预计随著 2028 年英伟达搭载 1TB 记忆体的 Rubin Ultra 全面部署，市场规模将飙升至 1,350 亿美元。这显示 HBM 做为 AI 应用关键零组件的战略地位非常关键。

因此，尽管三星在英伟达的 HBM3E 认证上仍持续努力中，但其产品已获得其他主要客户的青睐。例如，美国超微（AMD）于 6 月 12 日推出了 MI350 AI GPU，其中就配备了由三星和美光供应的 288GB 12 层堆叠 HBM3E 记忆体。值得注意的是，这正是三星仍在寻求英伟达认证的同款 HBM3E 产品。未来是不是也能一样获得英伟达认证通过，则还有待后续的观察。