外媒 Tom′s hardware 报导，美国记忆体大厂美光（Micron）近日详细介绍不久前宣布的美国投资 2,000 亿美元计划。美光将在美国的投资金额扩大到约 1,500 亿美元，研发也扩大到 500 亿美元，创造约 90,000 个直接和间接岗位。
美光制造投资 1,500 亿美元，包括爱达荷州兴建第二家领先的记忆体工厂，扩建佛吉尼亚州工厂并现代化。纽约州四座晶圆厂工程也将依时程展开，以及将先进 HBM 带入美国，以达成对 AI 市场至关重要的高频宽记忆体（HBM）长期增长。
投资 500 亿美元提升美光美国记忆体芯片研发，以再次巩固全球记忆体领导者的长期地位，主要目的在使美光满足市场需求，保持美光市占率，并支援美光美国生产 40% 的 DRAM 目标。
美光最新资讯，投资计划第一部分以在爱达荷州附近建造世界最大最先进 DRAM 生产设施，现在称为 Fab ID1 为主。一旦完全配备生产设备，ID1 的无尘室面积将达到 600,000 平方英尺，这大约是格罗方德 (GlobalFoundries) Fab 8 洁淨室产能的两倍，与竞争对手三星和 SK 海力士在韩国营运的大型晶圆厂相当。
现阶段 Fab ID1 将于 2025 年 6 月达到一个关键的建设里程碑，也就是将于 2027 下半年开始生产晶圆，此后陆续进行客户认证。爱达荷州第二座晶圆厂 Fab ID2 将建在 ID1 附近，受惠于共用基础设施和研发共址，预计 Fab ID2 将在纽约州工厂之前投入生产。不过，该公司没有详细说明确切的时间。
最后，针对位于纽约州多达四座晶圆厂的兴建计划，美光计划在完成联邦和州环境审查后，到 2025 年底开始其纽约工厂的地基工作。美光的纽约州计划比爱达荷州的计划更具规模，因为牵涉四座晶圆厂的兴建，无尘室面积将达到约为 600,000 平方英尺。虽然尚未有该工厂的具体生产时间表，但很明显，该工厂是美光长期战略努力的一部分，目的在建立强大的美国国内制造足迹，以支持商业和国家运算的需求。
除了建造全新的晶圆厂，美光还将扩建维吉尼亚州工厂。目前，该工厂生产用于汽车、航空航太、国防和工业应用的记忆体。升级更新后，该晶圆厂将获得在美国组装 HBM 记忆体堆叠的产能和先进封装能力。不过，美光预计在爱达荷州晶圆厂在美国提高 DRAM 晶圆的产量后，才会为其维吉尼亚工厂增加 HBM 能力。也就是说，预计美光将在美国制造 HBM5 或 HBM6。
美光执行长兼董事长 Sanjay Mehrotra 表示，做为这项 2,000 亿美元投资计划的一部分，美光计划在我们在美国业务中建立足够的 DRAM 晶圆规模后，再将先进封装能力到美国，以支持我们的长期 HBM 成长计划。
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