简介 东芝开发了一系列SiC（碳化硅）类别的Wbg（宽带隙）器件。 新推出的1200v和1700v碳化硅MOSFET模块将有助于更小，更高效的工业设备。 东芝推出了两款碳化硅（SiC） MOSFET双模块：“MG600Q2YMS3”，额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；“MG400V2YMS3”，额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。 这是东芝首款具有上述电压额定值的产品，它们加入了之前发布的MG800FXF2YMS3系列，包括1200V、1700V和3300V器件。 新模块与广泛使用的 硅IGB…

图1中 电位器调整输出电流，LED1是5V电源指示灯，LED2是芯片报警指示（过流、过温） 信号输入端J2:（部分信号端加上拉电阻，3.3V或者5V的信号源可以直连，板上做了兼容处理，参考拓展应用文档）GND：信号地输入端CLK：步进脉冲信号输入端。（一个脉冲走一步，脉冲的频率决定步进电机的转动速度）DIR： 步进方向信号输入端。(对应芯片的CW/CCW引脚)ST： 待机信号输入（测试时可以空着不接，板上已经接上拉）EN： 使能信号输入端。（对应芯片的ENABLE引脚，低电平时关闭芯片的功率输出）BANK: 串行模…