三星终于从爆炸门中走了出来，受到来自DRAM 与NAND 价格上涨带动，三星把Intel从盘踞了14年的半导体王座上赶了下来，风光可谓一时无两。虽然下半年市况预料将会修正，但今年整体DRAM 仍可较去年成长39%，NAND 则成长25%，而这两项恰恰曾经帮助过Intel走向巅峰，真是成也萧何，败也萧何啊。说起NAND Flash，他和他的哥哥NOR Flash可谓是20世纪最重要的发明之一，他的诞生和发展很是曲折，生于日本，长于美国，如今却在韩国大放异彩。今天的历史故事要从他的发明人桀冈富士雄（桀冈富士雄）和他的狗…
NAND 和 NOR 闪存是必不可少的非易失性存储技术，为许多现代设备提供动力，从智能手机和 USB 驱动器到 SSD 和嵌入式系统。它们具有独特的优势，可根据性能、成本和可靠性满足不同的数据存储需求。 NAND 闪存以其高密度存储和低成本而闻名，非常适合需要大数据量和频繁数据重写的应用，例如固态驱动器 （SSD）。同时，NOR 闪存在快速随机访问方面表现出色，通常用于需要快速读取速度的设备的代码存储和可启动环境。 了解 NAND 和 NOR 闪存之间的区别对于选择正确的存储解决方案至关重要，因为两者都在当今数字设…
NOR Flash是两种类型的非易失性存储技术之一。NAND Flash是另外一种。两者皆是非易失性存储器，不需要电源来保留数据。 NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门 （数字电路的基本构建块）来映射数据。 这两种类型的闪存都是由 Toshiba 发明的，但商用 NOR 闪存由 Intel 于 1988 年首次推出。NAND 闪存由 Toshiba 于 1989 年推出。 NOR Flash与 NAND Flash NOR Flash的读取速度比 NAND Flash更快，但也更昂贵，并且擦除和写…
NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门 （数字电路的基本构建块）来映射数据。 这两种类型的闪存都是由 东芝Toshiba 发明的，但商用 NOR 闪存由 因特尔Intel 于 1988 年首次推出。NAND 闪存由 东芝Toshiba 于 1989 年推出。 NOR闪存和NAND闪存是两种非易失性存储技术，它们的主要区别在于读取方式、存储密度、擦写速度、可靠性以及成本。NOR闪存支持随机访问，适用于存储少量关键数据和代码，NAND闪存则以块为单位进行读写，适用于存储大量非关键数据，如固件、OS等.…
