NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门 （数字电路的基本构建块）来映射数据。 这两种类型的闪存都是由 东芝Toshiba 发明的，但商用 NOR 闪存由 因特尔Intel 于 1988 年首次推出。NAND 闪存由 东芝Toshiba 于 1989 年推出。
NOR闪存和NAND闪存是两种非易失性存储技术，它们的主要区别在于读取方式、存储密度、擦写速度、可靠性以及成本。NOR闪存支持随机访问，适用于存储少量关键数据和代码，NAND闪存则以块为单位进行读写，适用于存储大量非关键数据，如固件、OS等.
以下表格是二者的区别对比:
读取方式:
- NAND:以块为单位进行读取，通常一次读取512字节，读写速度相对较慢.
- NOR:支持随机访问，可以按字节、字或页进行读取，读写速度快，可以从闪存中直接运行代码.
存储密度:
- NAND:存储密度高，但寿命和可靠性相对较低.
- NOR:存储密度较低，但可靠性高.
擦写速度:
- NAND:擦写速度相对较快，擦除一次只需要几毫秒.
- NOR:擦写速度相对较慢，擦除一次需要几秒钟.
可靠性:
- NAND:相较于NOR FLASH，其寿命以及可靠性相对较低，擦写次数有限，适合用于存储大容量数据，如照片、视频等非关键数据等.
- NOR:可靠性高，擦写次数较多，适用于存储关键数据和固件、OS等。它支持快速的随机访问，具有较低的读取错误率.
成本:
- NOR:生产成本高，存储密度低.
- NAND:生产成本低，存储密度高.
存储单元连接:
- NAND:存储单元采用多层结构，可以提高存储密度.
- NOR:每个存储单元都与位线相连，增加了位线的数量，不利于存储密度的提高.
接口:
- NAND: I/O端口采用复用的数据线和地址线，需要先通过寄存器串行地进行数据存取.
- NOR:有专用的地址引脚来寻址，易于连接.
总结
NOR Flash闪存具有较高的可靠性和耐久性，更适合用于存储关键数据、固件和运行代码，例如Bootloader、操作系统OS等.
NAND Flash在存储密度方面表现出色，但相对于NOR Flash，其寿命和可靠性较低。但是，NAND器件执行擦除操作是十分简单的，所以在擦写这块的性能远高于NOR Flash器件，适用于存储大容量数据，如照片、视频等非关键数据等.
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