潇湘君,分享有趣的生活日常

  • 首页
  • 数码科技
  • 固态硬盘SSD
    • 铠侠kioxia
    • 行业知识
  • 内存DRAM
    • HBM内存
  • 东芝元器件
  • 学习笔记
  • 生活日常
潇湘君
分享我的有趣生活日常
  1. 首页
  2. 固态硬盘SSD
  3. 正文

NOR 闪存与 NAND 闪存 (三)

2025年6月3日 47点热度 0人点赞 0条评论
NOR FLASH闪存与 NAND FLASH闪存
NOR FLASH闪存与 NAND FLASH闪存

NAND 和 NOR 闪存是必不可少的非易失性存储技术,为许多现代设备提供动力,从智能手机和 USB 驱动器到 SSD 和嵌入式系统。它们具有独特的优势,可根据性能、成本和可靠性满足不同的数据存储需求。

NAND 闪存以其高密度存储和低成本而闻名,非常适合需要大数据量和频繁数据重写的应用,例如固态驱动器 (SSD)。同时,NOR 闪存在快速随机访问方面表现出色,通常用于需要快速读取速度的设备的代码存储和可启动环境。

了解 NAND 和 NOR 闪存之间的区别对于选择正确的存储解决方案至关重要,因为两者都在当今数字设备的效率和性能中起着关键作用。

NOR FLASH闪存

NOR 闪存是一种非易失性存储技术,即使在断电时也能保留数据,非常适合在各种电子设备中存储代码和系统固件。NOR 闪存由 Intel 于 1988 年开发,此后成为需要可靠、快速和随机访问内存的应用的热门选择。

NOR FLASH闪存的工作原理

NOR 闪存以其“非 OR”逻辑门配置命名,该配置并联连接单元,允许直接访问单个单元。这种架构提供更快的读取速度和直接内存访问 (DMA),使其成为需要快速访问少量数据(如引导代码或固件)的应用程序的绝佳选择。

NOR FLASH闪存 架构
NOR FLASH闪存 架构

NOR FLASH闪存的主要特点

  • 快速读取时间:NOR 闪存针对快速读取速度进行了优化,这对于频繁访问存储数据的应用程序至关重要.
  • 随机访问功能:NOR 的架构支持随机读写访问,这允许独立于内存的其余部分访问特定数据
  • 可靠性和使用寿命:NOR 闪存具有高耐用性,并且能够在数千个写入和擦除周期内保持数据完整性,是需要频繁数据访问的应用程序的可靠选择.
  • 低功耗:NOR 闪存在较低的功率水平下运行,使其成为电池供电设备的合适选择.

NOR FLASH闪存的优势

  • 出色的随机访问读取速度
  • 高可靠性和数据完整性
  • 使用寿命长,具有强大的写入和擦除耐久性

NOR FLASH闪存的缺点

  • 每比特成本高于 NAND 闪存
  • 较低的存储密度,限制了在高容量应用中的使用

NAND FLASH闪存

NAND 闪存是一种高效的非易失性存储,已成为现代数据存储解决方案(包括 SSD、USB 驱动器和智能手机)的支柱。与其他类型的存储器相比,NAND 闪存以其高密度存储容量和更低的每比特成本而闻名,为需要大量存储、频繁数据重写和长期数据保留的应用提供了理想的解决方案。

NAND FLASH闪存的工作原理

NAND 闪存以其“非 AND”门配置命名,其中存储单元串联连接,而不是像 NOR 闪存那样并联连接。这种结构可实现更高的数据密度和成本效益,使 NAND 能够以紧凑的形式存储大量数据。虽然这种架构略微限制了随机访问速度,但它针对顺序数据存储进行了高度优化,使其非常适合读取和写入密集型应用程序。

NAND FLASH闪存 架构
NAND FLASH闪存 架构

NAND 闪存的主要特点

  • 高存储密度:NAND 闪存可以在较小的物理空间中存储大量数据,使其对于需要大存储容量的应用程序具有高度可扩展性.
  • 成本效益:NAND 闪存的每比特成本低于 NOR 闪存,非常适合优先考虑成本效益和存储容量的消费类产品.
  • 快速写入和擦除周期:NAND 闪存针对快速、连续的数据写入进行了优化,这有利于需要持续数据更新的设备,例如 SSD 和存储卡.
  • 数据保留时间长:尽管写入和擦除周期频繁,但 NAND 闪存可以长时间保留数据,有助于提高其长期存储的可靠性.

NAND 闪存的类型

  • 单层单元 SLC(Single-Level Cell):每个单元存储一个比特,提供高速、可靠性和耐用性。用于需要最高性能的应用程序.
  • 二层单元 MLC(Multi-Level Cell):每个单元存储 2 位,平衡成本和性能。常见于消费电子产品和 SSD.
  • 三层单元 TLC(Triple-Level Cell):每个单元存储 3 位,以更低的成本实现更高的数据密度,广泛用于消费类 SSD 和移动设备.
  • 四层单元 QLC(Quad-Level Cell):每个单元存储 4 位,实现更高的存储密度,但通常耐用性降低,适用于写入周期最短的数据密集型应用程序.

NAND 闪存的优势

  • 高存储密度,允许以小尺寸实现大量数据
  • 成本效益高,特别适用于大容量应用
  • 快速的顺序读写速度

NAND 闪存的缺点

  • 与 NOR 闪存相比,随机访问速度较慢
  • 与单层单元 (SLC) 相比,多级单元 (MLC、TLC、QLC) 的耐久性较低

NAND 和 NOR 闪存之间的区别

Features   特征NAND Flash Memory  NAND 闪存Nor Flash Memory  NOR 闪存
Memory architecture  内存架构Organized in series ("Not AND" configuration); cells are arranged in a string of transistors.
按系列组织(“非 AND”配置);单元排列在一串晶体管中。
Organized in parallel ("Not OR" configuration); cells are individually accessible.
并行组织(“非 OR”配置);单元格可以单独访问。
Access Speed   访问速度Optimized for fast sequential read/write speeds; slower in random access.
针对快速顺序读/写速度进行了优化;随机访问速度较慢。
Faster random access speeds, ideal for direct code execution and read-only applications.
更快的随机访问速度,非常适合直接代码执行和只读应用程序。
Cost  成本Lower cost per bit, making it more cost-effective for high-capacity storage.
更低的每比特成本,使其在大容量存储方面更具成本效益。
Higher cost per bit due to lower storage density; generally more expensive for high capacity.
由于存储密度较低,每比特成本较高;通常,高容量的成本更高。
Data Retention  数据保留Retains data effectively for long-term storage, though this can vary with cell type (SLC, MLC, etc.).
有效地保留数据以进行长期存储,尽管这可能因单元类型(SLC、MLC 等)而异。
Reliable data retention, often with a longer lifespan than NAND for code storage.
可靠的数据保留,通常比 NAND 的密码存储寿命更长。
Endurance   耐力Lower endurance in higher-density cells (MLC, TLC, QLC); SLC versions offer better endurance.
在高密度细胞 (MLC、TLC、QLC) 中的耐久性较低;SLC 版本提供更好的耐用性。
Higher endurance with fewer write/erase limitations, making it ideal for frequently accessed code.
更高的耐用性和更少的写入/擦除限制,使其成为频繁访问代码的理想选择。
Power Consumption  功耗Generally lower power consumption, suitable for mobile and battery-powered devices.
通常功耗较低,适用于移动和电池供电设备。
Requires more power, especially during random access, so it’s less power-efficient.
需要更多功率,尤其是在随机访问期间,因此它的能效较低。
Storage Capacity  存储容量Higher storage capacity in smaller physical form, optimized for bulk data storage applications.
以更小的物理形式实现更高的存储容量,针对批量数据存储应用进行了优化。
Lower storage capacity; best for code storage and applications needing fast, random access.
较低的存储容量;最适合代码存储和需要快速随机访问的应用程序。
Application  应用SSDs, USB drives, SD cards, smartphones, tablets, data center
SSD、USB 驱动器、SD 卡、智能手机、平板电脑、数据中心
Firmware storage, embedded systems, microcontrollers
固件存储、嵌入式系统、 微控制器.

如何在 NAND 和 NOR 闪存之间进行选择

数据访问模式

  • 如果您的应用程序涉及顺序数据读/写作,例如 SSD 等数据存储应用程序或智能手机中的媒体存储中的作,请选择 NAND 闪存。NAND 的架构专为快速、顺序访问而设计,非常适合高效处理大量数据.
  • 如果您的应用需要随机数据访问才能直接从内存执行代码,例如在嵌入式系统或固件存储中,请选择 NOR Flash。NOR flash 由于其快速随机读取功能,在直接代码执行方面表现出色

存储容量需求

  • 当您需要低成本的高存储容量时,请选择 NAND 闪存,因为它支持更高的数据密度,非常适合 USB 驱动器和数据中心 SSD 等大规模存储设备.
  • 当较低的存储容量就足够时,特别是当内存主要用于存储固件、引导加载程序或物联网或汽车应用中的少量关键数据时,请选择 NOR 闪存.

读写速度要求

  • NAND 闪存提供快速的顺序写入和擦除速度,使其成为需要快速数据存储和检索的应用程序的理想选择,例如数字媒体存储.
  • NOR 闪存提供快速的随机访问速度,非常适合需要快速数据检索而无需读取整个数据块的应用程序。此特性在需要即时数据访问的可启动系统和实时应用程序中至关重要.

成本考虑

  • NAND 闪存由于密度较高,每比特成本较低,因此对于大容量应用来说更经济实惠.
  • NOR Flash 由于其并行单元结构而具有更高的每比特成本,通常使其在高密度容量中更加昂贵。它最适合快速访问至关重要且存储容量需求较低的应用程序.

数据保留和耐用性

  • 如果您的应用程序需要长期数据保留和高存储密度,请选择 NAND 闪存。为了获得最大的耐用性,单层单元 (SLC) NAND 是一个不错的选择,尤其是在需要频繁写入/擦除周期的应用中.
  • 为数据完整性和耐用性至关重要的应用选择 NOR 闪存,尤其是在写入周期较低但读取访问频繁的情况下,例如嵌入式固件存储.

功耗

  •  NAND 闪存通常更节能,这在降低功耗至关重要的移动和电池供电设备中是一个优势.
  • NOR 闪存可能会消耗更多功率,尤其是在随机访问时,因此不太适合低功耗应用,但对于保持连接到电源的设备来说,这是一个不错的选择.

应用要求

  • 选择 NAND 闪存用于数据存储密集型应用,例如 SSD、USB 驱动器以及智能手机和数据中心中的大规模存储,在这些应用中,高容量、成本效益和顺序性能至关重要.
  • 选择 NOR 闪存,在嵌入式系统、 微控制器 、汽车电子和物联网设备中进行代码存储和直接执行,这些设备依赖于快速启动时间和即时数据访问.
NOR FLASH与NAND FLASH比较
NOR FLASH与NAND FLASH比较

最后

总之,NAND 和 NOR 闪存都具有独特的优势,使其成为特定应用的理想选择。NAND 闪存以其高存储密度、成本效益和快速顺序数据访问而著称,非常适合需要大量数据的消费电子产品、SSD 和数据中心。

另一方面,NOR 闪存可在固件存储、嵌入式系统和汽车电子等关键应用中提供快速随机访问、高可靠性和耐用性。在 NAND 和 NOR 闪存之间做出决定时,请考虑应用程序的存储容量、访问速度、耐用性和预算要求。

标签: NAND FLASH NOR FLASH 闪存
最后更新:2025年6月3日

ETHAN

十余年互联网智能硬件从业者,擅长物联网iot,嵌入式、网通通信等领域相关问题。喜欢捣鼓各类智能硬件,linux发行版,软件等,尤其对openwrt,pve,debian,vps等领域感兴趣~ 公司为东芝、铠侠总代,销售铠侠企业级SSD.

打赏 点赞
< 上一篇
下一篇 >

文章评论

razz evil exclaim smile redface biggrin eek confused idea lol mad twisted rolleyes wink cool arrow neutral cry mrgreen drooling persevering
取消回复

归档

  • 2025 年 7 月
  • 2025 年 6 月
  • 2025 年 5 月

分类

  • 东芝元器件
  • 固态硬盘SSD
  • 学习笔记
  • 数码科技
  • 未分类
  • 生活日常
  • 行业知识
  • 铠侠kioxia
标签聚合
三星 HBM内存 潇湘君 东芝 东芝SSD 铠侠SSD 美光 铠侠

COPYRIGHT © 2025 潇湘君,分享有趣的生活日常. ALL RIGHTS RESERVED.

总访问量:121385    今日访问量:631    您是今天第:631 个访问者