韩国中央日报报导，韩国三星正加速其位于京畿道平泽的晶圆厂建设，此计划代表著其在经历数月新厂建设停滞后，三星准备在高频宽频记忆体（HBM）市场中，重新夺回被 SK 海力士（SK hynix）和美光（Micron）抢占的市场占比。 过去数月，三星陆续取得平泽市政府颁发的关键核准，尤其 P4 厂房，取得多个临时使用许可，最近一次是 6 月初。许可让三星全面竣工前，部分场地有限度使用，包括安装设备、试营运或允许受限工作人员进入。 自 2024 年初以来，受芯片需求疲软和内部资本配置考量影响，P4 以及邻近的 P5 厂房的建…
韩国科学技术院（KAIST）近期发表一篇长达 371 页的论文，详细描绘高频宽记忆体（HBM）技术至 2038 年的演进路线，涵盖频宽、容量、I/O 宽度与热功耗等面向的成长。该蓝图涵盖从 HBM4 到 HBM8 的技术发展，包括先进封装、3D 堆叠、嵌入式 NAND 储存的记忆体中心架构，以及以机器学习为基础的功耗控制手法。 根据该蓝图，HBM 单堆叠容量将从 HBM4 的 288GB 增加至 384GB，HBM7 容量增加至 5,120GB 至 6,144GB；每个堆叠的功耗也提升，从 HBM4 的 75W 增…
在本周的联合简报会上，韩国科学技术研究院（KAIST）内存系统实验室和 TERA 互连与封装团队展示了高带宽内存 (HBM) 标准及其加速器平台的前瞻性路线图。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的五代产品，每代产品都有望在容量、带宽和封装复杂度方面实现大幅提升。 首先是 HBM4，计划于 2026 年在 AI GPU 和数据中心加速器中推出。它将通过 2048 位接口以 8 Gbps 的引脚速率提供每堆栈约 2 TB/s 的数据传输率。芯片堆栈将达到 12 至 16 层，每个封装可提供 36-48 GB 的…
