根据韩媒报导，韩国科学技术院（KAIST）电机工程系教授 Kim Joung-ho（在韩国媒体中被誉为“HBM 之父”）表示，高频宽快闪记忆体（High Bandwidth Flash，HBF）有望成为下一代 AI 时代的重要记忆体技术，将与高频宽记忆体（HBM）并行发展，共同推动芯片大厂的业绩成长。 HBF 的设计概念与 HBM 相似，皆透过硅穿孔（TSV）将多层芯片堆叠连接。差别在于 HBM 以 DRAM 为核心，而 HBF 则采用 NAND 快闪记忆体进行堆叠，具备“容量更大、成本更具优势”的特点。Kim J…

1、韩国SK海力士预测，到2030年，为人工智能设计的HBM芯片市场将以每年30%的速度增长。2、该公司认为，终端用户对人工智能的需求强劲，云计算公司已提出数十亿美元的人工智能资本支出，这对HBM市场是积极的。 潇湘君8月12日消息。近日，韩国SK海力士的高管表示，该公司预测，到2030年，为人工智能设计的HBM芯片市场将以每年30%的速度增长。 作为全球AI芯片领军企业，SK海力士对HBM芯片市场增长前景的乐观预测，预计打消人们对该行业价格压力不断上升的担忧。 AI建设离不开购买HBM？ 近日，SK海力士HBM业…

潇湘君 8月8日 报道，记忆体进入改朝换代的阶段，韩系DRAM大厂三星（Samsung）原定2025年底DDR4产品生产画下休止符，但由于DDR4需求仍旺盛、价格飙涨，停产计划大转弯，将会延长生产至2026年底。 韩媒《The Elec》报导，三星先前已通知客户DDR4产品准备退场，计划在2025年底前逐步停产1z奈米制程DDR4 DRAM。但知情人士爆料，因市场对DDR4需求仍非常强劲，足以支撑三星做出延长生产的决策，三星已决定一路生产到2026年12月，产品生命週期获得延续。 三星DDR4停产急转弯喊“卡”，原…

受向人工智能（AI）芯片龙头英伟达 (NVDA-US) 供应高频宽记忆体（HBM）芯片进度延迟影响，南韩科技巨擘三星电子预计将于本周二（8 日）公布第二季营业利润暴跌 39%。 根据《路透》援引伦敦证交所集团（LSEG）SmartEstimate 数据，三星预估第二季（4-6 月）营业利益仅 6.3 兆韩元（约 46.2 亿美元），为六季以来的最低水准。 长期财务疲软引发外界担忧，三星恐在 AI 数据中心用芯片领域落后给 SK 海力士和美光 (MU-US) 等规模较小但技术更灵活的竞争对手。 分析指出，尽管全球对 …

外媒 Tom′s hardware 报导，美国记忆体大厂美光（Micron）近日详细介绍不久前宣布的美国投资 2,000 亿美元计划。美光将在美国的投资金额扩大到约 1,500 亿美元，研发也扩大到 500 亿美元，创造约 90,000 个直接和间接岗位。 美光制造投资 1,500 亿美元，包括爱达荷州兴建第二家领先的记忆体工厂，扩建佛吉尼亚州工厂并现代化。纽约州四座晶圆厂工程也将依时程展开，以及将先进 HBM 带入美国，以达成对 AI 市场至关重要的高频宽记忆体（HBM）长期增长。 投资 500 亿美元提升美光美…