SK 海力士以更低的功耗将性能提升到新的水平，并率先在智能手机中首次亮相。 领先的存储器制造商 SK 海力士今天宣布，已开发出基于其 321 层 4D NAND 闪存的 UFS 4.1 存储解决方案。 将为这些 UFS 4.1 IC 提供动力的超高密度 NAND 芯片预计将支持 512GB 和 1TB 容量，并于 2026 年第一季度在智能手机中推出。此外，据说新的 NAND 芯片比上一代薄了 15%，但在低功耗下提供“一流的连续读取性能”。SK 海力士表示，相同的 321 层 4D NAND 闪存芯片也将在今年内…
在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平）方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小，DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了改进。 DRAM单元的尺寸是根据设计规则（或最小加工尺寸）“F：特征尺寸”进行比较的。原则上，可能的…
高阶记忆体竞争加剧，近期美光（Micron）抢先韩系竞争对手，成为首家NVIDIA供应次世代记忆体模组SOCAMM的记忆体业者。 而供应链传出，SOCAMM采用LPDDR5X芯片堆叠组成，随著美光扩大LPDDR5X委外封测订单，记忆体封测龙头力成作为主要受惠厂商，不仅助攻美光夺大单，第2季起LPDDR5X封装出货吞下营运大补丸，后势潜力备受看好。 DRAM三大厂正面交锋的战火，从高频宽记忆体（HBM）延伸至高阶服务器记忆体。 虽然NVIDIA曾先后委托三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（…
潇湘君6月23日消息，一年一度的618已经落下帷幕，各种战报纷纷出炉，我们来看看近期新品叠出的笔记本品牌类。 根据京东给出的报告，5月30日20点至6月18日24点的整个618旗舰，京东平台笔记本销售异常火爆，其中游戏本新品成交额同比增长超过5倍，高端笔记本销量同比增长超过100％，高考新生购买用户同比增长更是超过了10倍！ 其中联想更是秦始皇摸电线——赢麻了！第一拿到手软。 笔记本品牌总销量榜上，联想高居第一，华硕紧随其后，近两年势头迅猛的机械革命稳居第三。 自营品牌销量榜前三名也都被联想、华硕、机械革命占据，而…
6月11日消息，传闻已久的英伟达（NVIDIA）首款Arm PC芯片首次在Geekbench测试数据库被曝光，其跑分成绩超越了高通的骁龙 X Elite，这也意味着英伟达即将进军基于Windows on Arm平台的PC市场，与高通正面竞争。 根据统信息显示，英伟达的这款AI PC芯片代号为“N1X” ，拥有20线程的CPU，主频为2.81GHz。由于基于Arm CPU通常缺乏像英特尔 Lion Cove 那样的 SMT（同步多线程），因此该处理器应该是配备了20核心的Arm CPU。猜测可能是基于此前的GB10超…
在三星MLC产品将停产下，Nand Flash控制IC业者 群联 可望迎成长机会，公司表示，其MLC产品主要应用于工控领域，导入期较长，因此虽非短期立即反映，但随著原厂陆续退出市场，供给趋紧下，MLC报价将上扬，且公司拥有相对有利的库存量，可供应予产品附加价值高客户，有助提升ASP与毛利表现。 另，因近期PC出货需求回温，带动控制芯片出现供不应求情形，且除了终端市场需求提升外，亦受到晶圆厂 12nm制程产能紧张影响，供应压力升高。群联已透过加价方式争取产能，并可将成本转嫁，预期整体供应不会出现缺口，同时在拉货动能维…
近日Meta对Scale AI押注143亿美元资金、并聘请Scale AI创办人加入Meta的消息曝光不久后，媒体彭博引述消息人士报导，OpenAI将结束与Scale AI的合作关系. 继Google之后，彭博报导，OpenAI也已逐步终止和AI资料标注平台Scale AI的合作，将寻求更专精的资料供应商。 总部设于旧金山的Scale AI核心技术是训练AI进行资料标注，以用于更大模型的训练。上周Scale AI证实已获得Meta投资。随后，路透社报导，Google已经终止和Scale AI的合作。 另一家客户Op…
TB67S109AFNAG-IO是我司基于一款东芝 TB67S109AFNAG 步进电机芯片所制作的测试板，以下是它的测试说明。 使用说明 图示中 SW1设置细分，电位器调整输出电流，LED1电源指示灯，LED2报警指示灯. 逻辑控制信号：高电平大于2V，低电平小于0.8V。具体请参考芯片文档。 步进电机绕组并无正负之分，接入驱动时注意区分绕组。另外，要改变电机的初始启动方向时，调换其中一个绕组的接线。比如把A+与A-的接线交换，即使改变电机的初始启动方向。 电流设置(电流值) 可通过该电流检测电阻(RS)与基准电…
韩国媒体报导，面临著复杂的内外部挑战情况下，三星目前正就其下一代 NAND Flash 快闪记忆体 V10 的量产策略进行深度审慎评估。据了解，这项关键的投资计划，原预计于 2025 年下半年启动，现在则可能推迟到 2026 年上半年才能进行大规模的量产投资。至于延宕的主因，包括高堆叠层数 NAND Flash 需求的市场不确定性、引进新技术所伴随的庞大成本压力，以及新制程技术实际应用上的困难。 ZDnet Korea 报导，V10 NAND Flash 是三星在储存技术领域的最新里程碑，其设计核心在于採用了约 4…
