美光宣布，已开始出货全球首款基于1γ制程的LPDDR5X内存样品，旨在提升旗舰智能手机的AI性能。 1γ制程是第六代10nm级别DRAM工艺，其特征尺寸约为11到12纳米，通常在韩国半导体行业被称为1c DRAM。 美光的1γ制程LPDDR5X内存是目前市场上最先进的低功耗DRAM产品之一，主要用于移动设备。 美光目前正向部分合作伙伴提供基于1γ制程的16GB LPDDR5X内存样品，并计划在2026年推出从8GB到32GB的全系列容量产品，以满足旗舰智能手机的需求。 美光的这款LPDDR5X内存具备行业最快的10…
据EEnews europ报道，英国半导体IP大厂Arm的最新披露的财务文件揭示了产品品牌重塑战略，计划向客户提供自研芯片，同时还提及了对中国市场的依赖和RISC-V所带来的竞争风险。在此之前，该公司实现了首个季度（截至2025年3月31日的2025会计年度第四财季）营收突破 10 亿美元的里程碑，整个2025财年的营收将突破 40 亿美元。 放弃Cortex品牌，推出5大全新品牌 Arm公司已经决定放弃使用了近20年的Cortex品牌，转而采用全新的产品命名体系，分别为面向基础设施市场的Neoverse、面向PC…
目前数据中心领域使用的固态硬盘协议主要是 SAS、U.2 和 E3，不过这些协议已经无法满足人工智能行业的需求，所以存储网络行业协会 SNIA 和开放计算项目 OCP 正在联合制定 E2 SSD 标准。 传统的数据中心机械硬盘可以存储海量数据，但机械硬盘数据读写速度较慢因此通常适合存储冷数据 (访问频率较低的数据)，而高性能固态硬盘可以提高超高速读写并支撑热数据 (需要高频访问的数据) 但成本太高。 而人工智能行业希望获得温存储层，即数据访问频率介于冷数据和热数据之间，在性能、密度和成本之间实现更好的平衡，于是存储…
近日，西部数据高管在投资者活动日中公布了其SSD产品路线图，并预言3D NAND即将进入200+层堆叠，西部数据称其为BiCS+。对于BiCS 7的堆叠层数，西部数据表示此前预计将达到212层。 据介绍，BiCS+每晶圆bit数量将比162层BiCS6多出55%，传输速度提高60%，程序带宽提高15%。另外，西部数据技术路线图显示将在2032年达到500+层堆叠。 对于3D NAND闪存芯片而言，提升存储密度的主要方法无异于增加堆叠层数和减小单位存储单元尺寸。西部数据资料显示，其单位存储单元尺寸降低40%，横向存储…
博通宣布推出最新一代数据中心交换机芯片Tomahawk 6，这也是全球首款单芯片交换容量达102.4Tbps的芯片。 这一芯片的性能较现有以太网交换机翻倍，专为AI时代设计，可支持超大规模GPU集群的互联需求，单颗芯片即可驱动10万张GPU协同工作。 Tomahawk 6的带宽理论峰值达102Tbps，相当于每秒处理2.5万部4K电影，较前代Tomahawk 5芯片实现6倍吞吐能力提升。 其架构支持100G/200G SerDes接口及共封装光学模块（CPO），兼容超大规模AI网络运营商的定制化需求。 博通核心交换…
东芝TB5128FTG是一种两相双极步进电机驱动IC，它使用PWM斩波器，内置时钟输入解码器，采用BiCD工艺制造，额定输出为50V/5.0A (电机电源电压=44V)，支持128级微步细分。与LV8728MR（原三洋步进电机IC）相比，TB5128FTG具有更宽的供电电压范围，有利于驱动更低电压的电机，且高电压（可达40V）也能保证驱动大电机时所需的扭矩。 如今随着技术的发展，微步步进电机不断实现了越来越强大的性能，例如静音驱动、降低功耗等。 东芝的TB5128FTG拥有强大的性能，额定值为50V／5A，支持12…
NAND 和 NOR 闪存是必不可少的非易失性存储技术，为许多现代设备提供动力，从智能手机和 USB 驱动器到 SSD 和嵌入式系统。它们具有独特的优势，可根据性能、成本和可靠性满足不同的数据存储需求。 NAND 闪存以其高密度存储和低成本而闻名，非常适合需要大数据量和频繁数据重写的应用，例如固态驱动器 （SSD）。同时，NOR 闪存在快速随机访问方面表现出色，通常用于需要快速读取速度的设备的代码存储和可启动环境。 了解 NAND 和 NOR 闪存之间的区别对于选择正确的存储解决方案至关重要，因为两者都在当今数字设…
NOR Flash是两种类型的非易失性存储技术之一。NAND Flash是另外一种。两者皆是非易失性存储器，不需要电源来保留数据。 NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门 （数字电路的基本构建块）来映射数据。 这两种类型的闪存都是由 Toshiba 发明的，但商用 NOR 闪存由 Intel 于 1988 年首次推出。NAND 闪存由 Toshiba 于 1989 年推出。 NOR Flash与 NAND Flash NOR Flash的读取速度比 NAND Flash更快，但也更昂贵，并且擦除和写…
NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门 （数字电路的基本构建块）来映射数据。 这两种类型的闪存都是由 东芝Toshiba 发明的，但商用 NOR 闪存由 因特尔Intel 于 1988 年首次推出。NAND 闪存由 东芝Toshiba 于 1989 年推出。 NOR闪存和NAND闪存是两种非易失性存储技术，它们的主要区别在于读取方式、存储密度、擦写速度、可靠性以及成本。NOR闪存支持随机访问，适用于存储少量关键数据和代码，NAND闪存则以块为单位进行读写，适用于存储大量非关键数据，如固件、OS等.…
ARES PRO PCIe 5.0 SSD采用创新的单面PCB设计，完美兼容笔记本电脑、台式机及掌上游戏机等多种设备。其搭载的高品质3D TLC NAND闪存芯片，实现了惊人的14000MB/s顺序读取速度和11000MB/s顺序写入速度，4K随机读写性能分别高达2000K IOPS和1500K IOPS，为专业设计师、视频编辑和硬核游戏玩家提供了前所未有的工作效率和游戏体验。 在可靠性方面，该系列产品表现出色：1TB版本提供750TBW写入寿命，2TB版本达1500TBW，顶配4TB版本更拥有3000TBW的超高…
