SOCAMM是SOC+AMM的组合词，是系统级芯片高级内存模块的缩写（system on chip advanced memory module）,这是一种专为数据中心AI服务器设计的新型高性能、低功耗、尖端的、处理器+DRAM内存模块，可极大增强个人AI超级计算机的性能。 它基于 LPDDR5X DRAM 技术，旨在提升AI计算的效率和性能。 历史背景和功能特性 SOCAMM的设计初衷是为了解决AI加速中的数据瓶颈问题，提供更高的性价比和更低的功耗。 相比传统的 DRAM模块 ，SOCAMM具有更多的I/O端口…
企业级SSD和消费级SSD在耐用性、性能、数据保护、工作环境温度适应性、以及成本等方面存在显著差异。企业级SSD更注重长期稳定性和数据安全，而消费级SSD则更侧重于性价比和短期高性能。 主要区别如下： 1.耐用性(Durability) 2.性能(Performance) 3.数据保护(Data Protection) 4.工作温度环境适应性(Environmental Adaptability) 5.成本(Cost) 6.应用场景(Application Scenarios) 最后 企业级SSD和消费级SSD的区…
文章来源于 Kioxia铠侠，详情：click here. 我们业务的起点是NAND闪存，我们于1987年发明了它。自2000年代初以来，NAND为电子设备的演变做出了贡献，并因其能够在断电时保留数据而被广泛应用于各种设备。除了满足大容量存储需求的平面缩小技术外，我们还通过开发BICS Flash——一种具有垂直堆叠单元的三维闪存，在开发更高容量的NAND方面取得了技术突破。 闪存使消费电子设备更加移动化，并且已成为云计算和其他工业应用中的重要组件。现在，随着生成式AI的出现，我们正在进入一个新的时代，在这个时代中…
如今的顶级PCIe 5.0 SSD，已经可以做到逼近15GB/s的顺序性能，但是多年来，SSD的随机性能进步迟缓，最高也只有二三百万IOPS，而随机性能更关乎日常使用，以及新兴的AI负载。近日，铠侠展示了一种新的“AI SSD”，将随机性能提升到了1000万级别，是现有水平的三四倍。 现代AI服务器的性能瓶颈之一，就是存储介质与GPU处理器之间的数据传输，因为数据由CPU负责传输，显著增加了延迟、访问时间。 铠侠AI SSD使用了全新的主控制器，专门优化提升随机，512B下可以超过1000万，从而让GPU可以高效访…
潇湘君6月10日消息，英睿达P510 PCIe 5.0 SSD目前已经上市，售价999元。 作为美光第三款PCIe 5.0 SSD产品，P510最大的技术亮点在于出色的能耗控制。官方数据显示，其功耗较主流PCIe 5.0 SSD降低25%。参考此前T705（12.3W）和T700（11.5W）的功耗表现，P510的最大功耗预计在8.6W至9.2W之间。 性能方面，P510搭载美光第九代TLC NAND闪存，顺序读取速度达11000MB/s，写入速度达9550MB/s，略逊于T700的11700MB/s读取性能，但写…
NAND 和 NOR 闪存是必不可少的非易失性存储技术，为许多现代设备提供动力，从智能手机和 USB 驱动器到 SSD 和嵌入式系统。它们具有独特的优势，可根据性能、成本和可靠性满足不同的数据存储需求。 NAND 闪存以其高密度存储和低成本而闻名，非常适合需要大数据量和频繁数据重写的应用，例如固态驱动器 （SSD）。同时，NOR 闪存在快速随机访问方面表现出色，通常用于需要快速读取速度的设备的代码存储和可启动环境。 了解 NAND 和 NOR 闪存之间的区别对于选择正确的存储解决方案至关重要，因为两者都在当今数字设…
NOR Flash是两种类型的非易失性存储技术之一。NAND Flash是另外一种。两者皆是非易失性存储器，不需要电源来保留数据。 NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门 （数字电路的基本构建块）来映射数据。 这两种类型的闪存都是由 Toshiba 发明的，但商用 NOR 闪存由 Intel 于 1988 年首次推出。NAND 闪存由 Toshiba 于 1989 年推出。 NOR Flash与 NAND Flash NOR Flash的读取速度比 NAND Flash更快，但也更昂贵，并且擦除和写…
NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门 （数字电路的基本构建块）来映射数据。 这两种类型的闪存都是由 东芝Toshiba 发明的，但商用 NOR 闪存由 因特尔Intel 于 1988 年首次推出。NAND 闪存由 东芝Toshiba 于 1989 年推出。 NOR闪存和NAND闪存是两种非易失性存储技术，它们的主要区别在于读取方式、存储密度、擦写速度、可靠性以及成本。NOR闪存支持随机访问，适用于存储少量关键数据和代码，NAND闪存则以块为单位进行读写，适用于存储大量非关键数据，如固件、OS等.…
ARES PRO PCIe 5.0 SSD采用创新的单面PCB设计，完美兼容笔记本电脑、台式机及掌上游戏机等多种设备。其搭载的高品质3D TLC NAND闪存芯片，实现了惊人的14000MB/s顺序读取速度和11000MB/s顺序写入速度，4K随机读写性能分别高达2000K IOPS和1500K IOPS，为专业设计师、视频编辑和硬核游戏玩家提供了前所未有的工作效率和游戏体验。 在可靠性方面，该系列产品表现出色：1TB版本提供750TBW写入寿命，2TB版本达1500TBW，顶配4TB版本更拥有3000TBW的超高…
PCIe 5.0 SSD真正的春天要来了！ 台北电脑展上，Realtek瑞昱首次展示了他们的无缓存主控方案RTL5781DL，性能虽然差了一点点，但成本也降下来了，将会大大推动平价PCIe 5.0 SSD的普及。 RTL5871DL采用无缓存设计，但各项技术齐全，支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0，四个内存通道，接口支持ONFi 5.1、Toggle 5.1，最高速率3600MT/s，可搭配3D TLC/QLC，还支持4K LDPC、AES-256。 性能方面，顺序读写最高均可达10GB/s，随机读写最高…
