SK 海力士以更低的功耗将性能提升到新的水平，并率先在智能手机中首次亮相。 领先的存储器制造商 SK 海力士今天宣布，已开发出基于其 321 层 4D NAND 闪存的 UFS 4.1 存储解决方案。 将为这些 UFS 4.1 IC 提供动力的超高密度 NAND 芯片预计将支持 512GB 和 1TB 容量，并于 2026 年第一季度在智能手机中推出。此外，据说新的 NAND 芯片比上一代薄了 15%，但在低功耗下提供“一流的连续读取性能”。SK 海力士表示，相同的 321 层 4D NAND 闪存芯片也将在今年内…
