SK 海力士发布 321 层 UFS 4.1 芯片 — TLC 4D NAND 将登陆个人电脑和数据中心

2025年6月24日 25点热度 0人点赞 0条评论

SK 海力士以更低的功耗将性能提升到新的水平，并率先在智能手机中首次亮相。

领先的存储器制造商 SK 海力士今天宣布，已开发出基于其 321 层 4D NAND 闪存的 UFS 4.1 存储解决方案。

将为这些 UFS 4.1 IC 提供动力的超高密度 NAND 芯片预计将支持 512GB 和 1TB 容量，并于 2026 年第一季度在智能手机中推出。此外，据说新的 NAND 芯片比上一代薄了 15%，但在低功耗下提供“一流的连续读取性能”。SK 海力士表示，相同的 321 层 4D NAND 闪存芯片也将在今年内用于 PC SSD。

让我们深入了解一下 SK 海力士声称的新型 UFS 4.1 IC 带来的一些好处。在性能方面，用户可以预期数据传输速度高达 4,300 MB/s，这家韩国内存制造商表示。从 PC 爱好者的角度来看，这比您对最好的 PCIe NVMe Gen 3 SSD 的期望要好。然而，它并不比 SK 海力士自己的当前一代 UFS 4.1 解决方案快，该解决方案基于 238 层 4D NAND 闪存。

UFS 是做什么用的？

UFS（通用闪存存储）是智能手机的目标存储解决方案，但也广泛用于平板电脑、数字成像、汽车、可穿戴设备和 VR 设备。例如，它是一个明显更先进的标准，具有比 eMMC 高得多的带宽和性能，因此在旗舰和高级设计中受到青睐。

不过，还有更好的消息，因为 SK 海力士声称即将推出的 UFS 4.1 IC 保持了“第四代 UFS 中最快的顺序读取，同时通过提高随机读写速度来提供一流的性能”。随机读取和写入速度分别提高了 15% 和 40%，对于流畅的多任务处理至关重要。

谈到 SK 海力士的效率声明，我们只有一个标题数字。它表示，与上一代 UFS 4.1 芯片相比，能效提高了 7%，在最新的华硕 ROG Phone 等设备中可以找到。

SK 海力士在本周的台北国际电脑展（Clipx）上展示了其最新的 UFS 4.1 解决方案，该解决方案采用 238 层 4D NAND 闪存。（图片来源：Future） — （图片来源：Future）

SK 海力士在本周的台北国际电脑展（Clipx）上展示了其最新的 UFS 4.1 解决方案，该解决方案采用 238 层 4D NAND 闪存。

向 321 层 4D NAND 闪存的过渡也意味着 SK 海力士 UFS 4.1 NAND 更薄，这是移动设备制造商一直欢迎的。具体来说，这家内存制造商表示，新 IC 的厚度为 0.85 毫米，低于 UFS 4.1 NAND 的 1.00 毫米，封装 238 层 4D NAND 闪存。

SK 海力士于 2024 年 11 月开始量产全球首款 321 层 NAND 闪存。到目前为止，使用这些 IC 开发 UFS 4.1 需要很长时间，看起来要到 2026 年才能获得使用该技术的 PC SSD。与此同时，三星等竞争对手也在谈论 400 层 NAND。美光、铠侠和长江存储等其他参与者被认为更落后。

如果不提到人工智能，2025 年的科技新闻就不完整，SK 海力士在这方面也没有让人失望，在这个热门趋势的科技领域有八顶帽子。事实上，SK 海力士在其最新的 UFS 4.1 解决方案中率先宣传“针对设备端 AI 进行了优化”，并增强了其作为“全栈 AI 内存提供商”的领先地位。显然，这种新的 NAND 将“确保设备上 AI 的稳定运行”，并为使用它的产品提供“AI 技术优势”。

采用 SK 海力士 321 层 4D NAND 的 PC SSD

SK 海力士的新型 321 层 4D NAND 闪存不会专门面向移动设备制造商推出。该公司总裁兼首席开发官 Ahn Hyun 表示，将在今年内为消费者和数据中心开发 321 层基于 4D NAND 的 SSD：“我们有望通过构建具有 AI 技术优势的产品组合来扩大我们在 NAND 领域作为全栈 AI 内存提供商的地位”。我们预计这些 SSD 将以公司的自有品牌出现，并出现在 Adata、Kingston 和 Solidigm 等公司的产品中。