简介 东芝开发了一系列SiC（碳化硅）类别的Wbg（宽带隙）器件。 新推出的1200v和1700v碳化硅MOSFET模块将有助于更小，更高效的工业设备。 东芝推出了两款碳化硅（SiC） MOSFET双模块：“MG600Q2YMS3”，额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；“MG400V2YMS3”，额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。 这是东芝首款具有上述电压额定值的产品，它们加入了之前发布的MG800FXF2YMS3系列，包括1200V、1700V和3300V器件。 新模块与广泛使用的 硅IGB…
