三星终于从爆炸门中走了出来，受到来自DRAM 与NAND 价格上涨带动，三星把Intel从盘踞了14年的半导体王座上赶了下来，风光可谓一时无两。虽然下半年市况预料将会修正，但今年整体DRAM 仍可较去年成长39%，NAND 则成长25%，而这两项恰恰曾经帮助过Intel走向巅峰，真是成也萧何，败也萧何啊。说起NAND Flash，他和他的哥哥NOR Flash可谓是20世纪最重要的发明之一，他的诞生和发展很是曲折，生于日本，长于美国，如今却在韩国大放异彩。今天的历史故事要从他的发明人桀冈富士雄（桀冈富士雄）和他的狗…

在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平）方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小，DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了改进。 DRAM单元的尺寸是根据设计规则（或最小加工尺寸）“F：特征尺寸”进行比较的。原则上，可能的…

企业级SSD和消费级SSD的主要区别在于它们的目标市场、工作负载、耐用性、以及性能优化方面。企业级SSD通常设计用于高强度工作负载和持续可靠性，而消费级SSD则侧重于性价比和常规用户需求。 详细区别比较： 目标市场和应用场景: 工作负载: 耐用性和可靠性: 性能优化: 成本cost: 最后 企业级与消费级SSD做着截然不同的两个方向。 前者属于力大飞砖，更多的NAND颗粒+更多的主控通道，让企业级SSD天生具备强悍的并发能力。 后者则是四两拨千斤，通过模拟SLC可以在短时间内爆发出令人满意的峰值性能。 总而言之，企…

今天，铠侠正在庆祝 NAND 闪存诞生 35 周年。具体来说，该公司于 1987 年发明了 NAND 闪存。当时，NOR 占据主导地位，人们对 NAND 是否会成为一项可行的技术持怀疑态度。这需要一些时间，但三十五年后，NAND 是一个改变了世界的巨大市场。我们想本周会介绍一下这个，以获得一点乐趣。 在 1990 年代，我们没有具有 TB 闪存的移动电话或具有 PB 级的 1U 服务器。相反，在 90 年代中期，闪存在数字答录机上得到了第一个重大应用。在那里，NAND 取代了磁带。大多数 STH 的读者都已经足够老…