英特尔 Z-Angle Memory（ZAM）技术已接近完成阶段，并正全力投入 AI 市场浪潮，试图挑战 HBM 作为高频宽记忆体主流方案的地位。 做为高频宽、高容量市场的重要创新，ZAM 正在记忆体产业引发高度关注。这项技术由英特尔与软银（SoftBank）共同开发，目标是提供低功耗、高密度的解决方案，以取代 HBM。 根据最新资讯，ZAM 记忆体的频宽预计将达到 HBM4 的两倍，并可与预计次世代 HBM4E 相媲美。ZAM 预计在 2028 年至 2030 年间进入量产阶段。在 2026 年 VLSI 研讨会…
