根据韩媒报导，韩国科学技术院（KAIST）电机工程系教授 Kim Joung-ho（在韩国媒体中被誉为“HBM 之父”）表示，高频宽快闪记忆体（High Bandwidth Flash，HBF）有望成为下一代 AI 时代的重要记忆体技术，将与高频宽记忆体（HBM）并行发展，共同推动芯片大厂的业绩成长。 HBF 的设计概念与 HBM 相似，皆透过硅穿孔（TSV）将多层芯片堆叠连接。差别在于 HBM 以 DRAM 为核心，而 HBF 则采用 NAND 快闪记忆体进行堆叠，具备“容量更大、成本更具优势”的特点。Kim J…