随著人工智慧（AI）基础设施建设进入白热化阶段，全球记忆体市场正迎来一场前所未有的供应短缺周期。尽管市场需求极其旺盛，且 PC 与智慧型手机制造商正苦于供应不足的情况，但包括美光（Micron）、三星（Samsung）及 SK 海力士（SK Hynix）等记忆体大厂却罕见地保持极度克制，拒绝迅速提高产能。这背后隐藏著产业对过去惨痛亏损的深刻记忆，以及对华尔街“谨慎至上”策略的追随。 目前，AI 基础设施的发展已消耗掉市场上绝大部分的 NAND Flash 快闪记忆体、DRAM 以及传统硬盘 (HDD)。根据摩根士丹…

在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平）方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小，DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了改进。 DRAM单元的尺寸是根据设计规则（或最小加工尺寸）“F：特征尺寸”进行比较的。原则上，可能的…