近日，西部数据高管在投资者活动日中公布了其SSD产品路线图，并预言3D NAND即将进入200+层堆叠，西部数据称其为BiCS+。对于BiCS 7的堆叠层数，西部数据表示此前预计将达到212层。 据介绍，BiCS+每晶圆bit数量将比162层BiCS6多出55%，传输速度提高60%，程序带宽提高15%。另外，西部数据技术路线图显示将在2032年达到500+层堆叠。 对于3D NAND闪存芯片而言，提升存储密度的主要方法无异于增加堆叠层数和减小单位存储单元尺寸。西部数据资料显示，其单位存储单元尺寸降低40%，横向存储…