根据韩国科学技术院（KAIST）教授表示，当 HBM5 正式商用化时，冷却技术将成为 2029 年高频宽记忆体（HBM）市场竞争的关键因素。
KAIST 电机工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab 主办的活动中指出，目前决定半导体市场主导权的关键是封装技术，但随著 HBM5 的出现，这个局面将转变为冷却技术。
Teralab 在会中公布自 2025 年至 2040 年从 HBM4 到 HBM8 的技术蓝图，涵盖 HBM 架构、冷却方式、硅穿孔（TSV）密度、中介层等项目。Joungho Kim 指出，藉由异质整合与先进封装技术，HBM 的基础晶片（base die）预期将移至 HBM 堆叠的最上层。
自从 HBM4 开始，基础芯片将承担部分 GPU 运算工作，导致温度上升，对于散热冷却的重要性也提升。HBM4 的液冷技术是将冷却液注入封装顶部的散热器中，Joungho Kim 认为目前的液冷方式将面临极限，因此到 HBM5 是採用沉浸式冷却技术，将基础芯片与封装整体将浸泡在冷却液中。
除了 TSV 外，还将新增其他类型的通孔（via），如热穿孔（TTV）、闸极用 TSV 及 TPV（电源穿孔）。据悉，到了 HBM7，需使用嵌入式冷却技术，将冷却液倒入 DRAM 晶片间，并引入流体 TSV（fluidic TSV）来达成目的。
此外，HBM7 也将与多种新架构整合，例如高频宽快闪记忆体（HBF），其中 NAND 像 HBM 的 DRAM 一样进行 3D 堆叠；至于 HBM8，则将记忆体直接安装于 GPU 上方。
除了冷却技术外，接合/绑定（bonding）也将是决定 HBM 竞争力的另一大关键。而从 HBM6 开始，将引入玻璃与硅混合的混合中介层（hybrid interposer）。
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