高阶记忆体竞争加剧，近期美光（Micron）抢先韩系竞争对手，成为首家NVIDIA供应次世代记忆体模组SOCAMM的记忆体业者。
而供应链传出，SOCAMM采用LPDDR5X芯片堆叠组成，随著美光扩大LPDDR5X委外封测订单，记忆体封测龙头力成作为主要受惠厂商，不仅助攻美光夺大单，第2季起LPDDR5X封装出货吞下营运大补丸，后势潜力备受看好。
DRAM三大厂正面交锋的战火，从高频宽记忆体（HBM）延伸至高阶服务器记忆体。
虽然NVIDIA曾先后委托三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）和美光开发SOCAMM记忆体模组，最终美光竟成为第一家获得量产批准的公司，以市占老三之姿逆袭DRAM老大哥，也让韩系竞争对手大感震撼。
SOCAMM为NVIDIA构思的记忆体模组，透过16个堆叠成四组的LPDDR5X芯片组成，相较HBM作为AI GPU的DRAM主角，SOCAMM则连接至掌控整个系统的CPU，扮演辅助支援的角色，以确保AI加速器达到峰值效能。业界认为，预料SOCAMM将纳入NVIDIA于2026年推出AI加速器“Rubin”。
美光不仅抢先三星与SK海力士取得量产许可，也成为全球首家、且唯一同时出货HBM3E及SOCAMM产品的记忆体厂商。
近期美光重兵部署HBM产能，预计在2025年下半将市占率拓展20~25%。不过，HBM连带排挤到DDR5/LPDDR5X相关产能，包括原本的封测产能转作为HBM封测使用，使得DRAM封测产能将扩大委外订单。
力成多年与美光合作紧密，过去提供LPDDR5X芯片封测，专为NVIDIA打造的SOCAMM模组，其LPDDR5X更加强调散热及效率提升，才足以应付AI算力提升的负载要求。
据悉，美光为SOCAMM模组客制化生产的LPDDR5X，从第1季开始小量交由力成进行封装，第2季进入大量生产，第3季出货维持高档。预估下一代AI服务器将配备4个SOCAMM模组，以LPDDR5X芯片数量计算，相当于256颗芯片，市场预期，高阶LPDDR5X封装需求将可望延续成长力道。
虽然先前外界传出，力成有望拿下美光HBM订单，争取旧款HBM2封装商机，但三大DRAM厂将下一波重点聚焦于HBM4再定生死胜负，竞争持续向高阶升级，目前旧款HBM2委外订单并未敲定。
且因应客户转变策略，希望朝向HBM3E或以上发展，将持续与客户合作进入到更高阶的HBM研发，力成近期采购HBM热压键合（TCB）设备陆续进驻到位，预期HBM3E布局有望在2025年下半取得大幅突破。
另一方面，三大DRAM厂先后释出停产DDR4，不仅让南亚科、华邦电的供货水涨船高，在整体产业供需转变下，记忆体封测厂南茂第2季记忆体接单表现也优于预期。
由于DDR4价格反弹，台系客户积极建立DDR4库存水位，如南茂过去DDR4业务主要以利基型应用为主，进而推动第2季DDR4接单需求大增。
受惠于记忆体营收动能价格回升，南茂原本看好，第2季记忆体整体动能优于显示驱动芯片（DDIC）产品，尤其以NOR Flash能见度最好。不过近月观察，DRAM及NAND Flash需求也均优于预期，反映其市场价格反弹，NOR Flash则维持原先预期的成长表现。
随著任天堂（Nintendo）Switch 2上市预购热卖，南茂预期，ROM产品将可望在第3季进入传统备货旺季，较第2季将能呈现显著成长的出货力道。
至于DDIC产品随著中国补贴政策结束后，第2季出货陷入低迷，2025年下半将进一步观察客户新机效应的旺季表现。
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