韩国媒体报导，面临著复杂的内外部挑战情况下，三星目前正就其下一代 NAND Flash 快闪记忆体 V10 的量产策略进行深度审慎评估。据了解，这项关键的投资计划，原预计于 2025 年下半年启动，现在则可能推迟到 2026 年上半年才能进行大规模的量产投资。至于延宕的主因，包括高堆叠层数 NAND Flash 需求的市场不确定性、引进新技术所伴随的庞大成本压力，以及新制程技术实际应用上的困难。
ZDnet Korea 报导，V10 NAND Flash 是三星在储存技术领域的最新里程碑，其设计核心在于採用了约 430 层堆叠的储存单元（Cell），这比目前市面上最先进的 V9 NAND（预估约 290 层堆叠）高出了超过 100 层。业界之前普遍预期，三星电子有望在 2025 年下半年便启动 V10 NAND Flash 的量产投资。然而，截至本月，三星电子仍未能敲定 V10 NAND Flash 所需的蚀刻等关键制程设备的供应链。这主要归因于高堆叠层树的 NAND Flash 产品的市场需求存在不确定性，以及导入全新制程技术所衍生的成本效益问题，这些因素都严重阻碍了投资的步伐。
蚀刻制程的技术挑战是导致量产延宕的核心问题之一，蚀刻是指在半导体晶圆上精确移除不必要的材料的关键步骤。传统上，为在晶圆上建立出更深的通道孔（Channel Hole），蚀刻需要在摄氏零下 20 至零下 30 度的低温环境中进行。然而，对于 V10 NAND，业界原预期将需要更为严苛的极低温环境，即摄氏零下 60 至零下 70 度。极低的温度有助于降低化学反应的活性，进一步使蚀刻过程即使在没有保护层的情况下，也能达成极高的精确度。
三星从主要半导体前段制程设备供应商，包括美国的 Lam Research和日本的东京威力科创（TEL），引进了极低温蚀刻设备，并进行了试生产及品质评估。然而，实际的评估结果显示，将这种极低温蚀刻技术直接应用于大规模量产存在显著困难，这已成为业界普遍的结论。因此，三星电子目前正与 Lam Research 和 TEL 合作，发展调整蚀刻温度至稍高的程度，并重新进行设备评估的方案。
这项针对蚀刻及相关设备的额外评估预计将于 2025年 下半年展开。考量到评估所需的时程，供应链的最终确立，以及实际的量产投资，最早可能也要等到 2026 年第一季才能达成。除了技术上的挑战，新设备的导入也意味著更高的初期投资成本，这亦是三星电子延后 V10 NAND 量产投资的另一主要考量因素。
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