AI重塑内存市场格局，龙头换人当，SK海力士DRAM营收首度超三星 | 潇湘君

AI应用快速成长，推升高频宽内存（HBM）及新内存模组需求，小型压缩附加内存模组（Small Outline Compression Attached Memory Module，SOCAMM）成为新战场。

DIGITIMES观察，受惠AI推动，HBM需求强劲，SK海力士营业利益率持续改善，2025年第一季在DRAM营收首度超越三星电子，改写长年以来由三星领先的市场格局，凸显AI对内存市场重塑的影响力。

随著固态技术协会（JEDEC）释出HBM4标准，三大业者的技术竞争，将延续至下一世代。未来HBM将须与逻辑晶片（logic die）进行整合，需与晶圆代工伙伴密切协作。

SK海力士与美光将与台积电密切合作，三星则倾向採一站式解决方案，并以先进制程与新封装技术应对市场需求，惟其量产良率与技术验证仍具挑战。

除HBM外，业者亦积极开发SOCAMM等高效能内存模组，以支援AI运算。SOCAMM是一种新型模组化运算平台标准，主要针对AI边缘运算、工业电脑（IPC）和嵌入式系统等领域所设计。

美光已率先量产SOCAMM，SK海力士则处于样品阶段，由于SOCAMM可能搭载于NVIDIA下世代云端AI服务器芯片，将成为三大内存业者的新战场。

DIGITIMES分析，地缘政治风险成为内存产业重大变数。美光因应美国政策积极扩张本土产能，预估未来美国境内产制DRAM将占其整体产能约四成；SK海力士亦计划于美国设立HBM封装厂。

虽三星目前未在美国设有内存生产基地，其位于德州的新建晶圆代工厂，仍具导入相关产线的潜力。

DIGITIMES认为，内存作为AI运算不可或缺的核心元件，美国政策导向与在地化趋势，将是三大业者无法迴避的重要课题。